トランジスタ - バイポーラ（BJT） - RF - ディスクリート半導体製品 - MAX2601ESA+ MAX2602ESA+ MAX2601ESA+T MAX2602ESA+T

品番	メーカー/ブランド	簡単な説明	部品ステータス	トランジスタタイプ	電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大）	周波数 - 遷移	ノイズ・フィギュア（dB Typ @ f）	利得	電力 - 最大	DC電流利得（hFE）（最小）@ Ic、Vce	電流 - コレクタ（Ic）（最大）	動作温度	取付タイプ	パッケージ/ケース	サプライヤデバイスパッケージ
MAX2601ESA+	Maxim Integrated	TRANSISTOR RF NPN 900MHZ 15V 8SOIC	Active	NPN	15V	1GHz	3.3dB @ 836MHz	11.6dB	6.4W	100 @ 250mA, 3V	1.2A	150°C (TJ)	Surface Mount	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad	8-SOIC-EP
MAX2602ESA+	Maxim Integrated	TRANSISTOR RF NPN 900MHZ 15V 8SOIC	Active	NPN	15V	1GHz	3.3dB @ 836MHz	11.6dB	6.4W	100 @ 250mA, 3V	1.2A	150°C (TJ)	Surface Mount	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad	8-SOIC-EP
MAX2601ESA+T	Maxim Integrated	TRANSISTOR RF NPN 900MHZ 15V 8SOIC	Active	NPN	15V	1GHz	3.3dB @ 836MHz	11.6dB	6.4W	100 @ 250mA, 3V	1.2A	150°C (TJ)	Surface Mount	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad	8-SOIC-EP
MAX2602ESA+T	Maxim Integrated	TRANSISTOR RF NPN 900MHZ 15V 8SOIC	Active	NPN	15V	1GHz	3.3dB @ 836MHz	11.6dB	6.4W	100 @ 250mA, 3V	1.2A	150°C (TJ)	Surface Mount	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad	8-SOIC-EP
MAX2601ESA	Maxim Integrated	IC TRANSISTOR 3.6V 1W RF POWER 8-SOIC	Discontinued at -	NPN	15V	1GHz	3.3dB @ 836MHz	11.6dB	6.4W	100 @ 250mA, 3V	1.2A	150°C (TJ)	Surface Mount	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad	8-SOIC-EP
MAX2601ESA-T	Maxim Integrated	TRANSISTOR RF NPN 900MHZ 15V 8SOIC	Discontinued at -	NPN	15V	1GHz	3.3dB @ 836MHz	11.6dB	6.4W	100 @ 250mA, 3V	1.2A	150°C (TJ)	Surface Mount	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad	8-SOIC-EP
MAX2602ESA	Maxim Integrated	TRANSISTOR RF NPN 900MHZ 15V 8SOIC	Discontinued at -	NPN	15V	1GHz	3.3dB @ 836MHz	11.6dB	6.4W	100 @ 250mA, 3V	1.2A	150°C (TJ)	Surface Mount	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad	8-SOIC-EP
MAX2602ESA-T	Maxim Integrated	TRANSISTOR RF NPN 900MHZ 15V 8SOIC	Discontinued at -	NPN	15V	1GHz	3.3dB @ 836MHz	11.6dB	6.4W	100 @ 250mA, 3V	1.2A	150°C (TJ)	Surface Mount	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad	8-SOIC-EP